[发明专利]沟槽功率MOSFET器件制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽功率MOSFET器件制造方法，包括：首先形成带有硬掩模的沟槽；在沟槽侧壁及底部制作介质层；利用各向异性刻蚀方法去除所述沟槽底部介质层，保留所述沟槽侧壁介质层；利用离子注入在所述沟槽底部进行硅离子注入；去除所述沟槽侧壁介质层以及所述氧化硅硬掩模；采用高温氧化形成沟槽侧壁栅氧层以及沟槽底部氧化层；形成栅极、源极以及漏极。本发明能形成比沟槽侧壁栅氧层要厚的沟槽底部氧化层，减少器件的栅极和漏极间的寄生电容，从而提高器件的开关速度以及减少动态功耗。同时本发明工艺比较简单，易于集成，能用于批量生产。

主权项

一种沟槽功率MOSFET器件制造方法，在第一导电类型的重掺杂衬底上生长第一导电类型的外延层、制作第二导电类型的阱区、生长氧化硅硬掩模、光刻形成沟槽图形、刻蚀形成沟槽；其特征在于，还包括如下步骤：步骤一、在沟槽侧壁及底部制作介质层；步骤二、利用各向异性刻蚀方法去除所述沟槽底部介质层，保留所述沟槽侧壁介质层；步骤三、利用离子注入在所述沟槽底部进行硅离子注入；步骤四、去除所述沟槽侧壁介质层以及所述氧化硅硬掩模；步骤五、采用高温氧化形成沟槽侧壁栅氧层以及沟槽底部氧化层；步骤六、形成栅极、源极以及漏极。