[发明专利]双曝光方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910201462.9 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102096326A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双曝光方法及刻蚀方法。双曝光方法，包括：在中间膜层上形成第一光刻胶图案层；在在先形成的所述第一光刻胶图案层上形成无机化合物薄膜；在所述无机化合物薄膜上涂布光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第二光刻胶图案层。本发明实施例中，通过在涂布第二层光刻胶之前在在先形成的第一光刻胶图案层表面沉积无机化合物薄膜，有效的抵制了在第二层光刻胶涂布和曝光显影过程中高温烘焙和有机溶剂的侵蚀，从而保护了第一光刻胶图案层不受损坏，进而可以保证后续刻蚀的质量和半导体器件的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种双曝光方法，其特征在于，包括：在中间膜层上形成第一光刻胶图案层；在在先形成的所述第一光刻胶图案层上形成无机化合物薄膜；在所述无机化合物薄膜上涂布光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第二光刻胶图案层。
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