[发明专利]双曝光方法及刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910201462.9 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102096326A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 刻蚀 | ||
1.一种双曝光方法，其特征在于，包括：
在中间膜层上形成第一光刻胶图案层；
在在先形成的所述第一光刻胶图案层上形成无机化合物薄膜；
在所述无机化合物薄膜上涂布光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第二光刻胶图案层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在不大于220℃的温度下在所述在先形成的第一光刻胶图案层上沉积无机化合物薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子体化学气相淀积或者原子层沉积的方法沉积所述无机化合物薄膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无机化合物薄膜的材料为氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用SiH4和N2O进行等离子体化学气相沉积生成所述无机化合物薄膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用SiH4、H2和NH3沉积生成所述无机化合物薄膜。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于，所述无机化合物薄膜的厚度为1-10nm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述无机化合物薄膜的厚度为3-5nm。
9.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述无机化合物薄膜上涂布光刻胶层之前，还包括：
在所述无机化合物薄膜上覆盖底部抗反射涂层。
10.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述利用掩模板对所述光刻胶层进行曝光显影之前，还包括：
在所述光刻胶层上覆盖顶部抗反射涂层。
11.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
在中间膜层上形成第一光刻胶图案层；
在在先形成的所述第一光刻胶图案层上形成无机化合物薄膜；
在所述无机化合物薄膜上涂布光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第二光刻胶图案层；
对所述中间膜层进行刻蚀。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在不大于220℃的温度下在所述在先形成的第一光刻胶图案层上沉积无机化合物薄膜。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，采用等离子体化学气相淀积或者原子层沉积的方法沉积所述无机化合物薄膜。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述无机化合物薄膜的材料为氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，采用SiH4和N2O进行等离子体化学气相沉积生成所述无机化合物薄膜。
16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，采用SiH4、H2和NH3沉积生成所述无机化合物薄膜。
17.根据权利要求11至16中任意一项所述的方法，其特征在于，所述无机化合物薄膜的厚度为1-10nm。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述无机化合物薄膜的厚度为3-5nm。
19.根据权利要求11至16中任意一项所述的方法，其特征在于，所述在先形成的第一光刻胶图案层中光刻胶图案的关键尺寸小于刻蚀所需的目标尺寸。
20.根据权利要求11至16中任意一项所述的方法，其特征在于，在对所述中间膜层进行刻蚀之前，还包括：
去除所述无机化合物薄膜。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀或等离子体刻蚀去除所述无机化合物薄膜。
22.根据权利要求11至16中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述无机化合物薄膜上涂布光刻胶层之前，还包括：
在所述无机化合物薄膜上覆盖底部抗反射涂层。
23.根据权利要求11至16中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述利用掩模板对所述光刻胶层进行曝光显影之前，还包括：
在所述光刻胶层上覆盖顶部抗反射涂层。
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