[发明专利]锗锑碲样品的处理方法无效
| 申请号： | 200910200993.6 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102109426A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 虞勤琴;周荣建;王晓凤;王玉科 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/225;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗锑碲GST样品的处理方法，所述样品为在刻蚀氧化硅层形成的沟槽内填充GST的样品，在处理之后用于扫描电子显微镜下测试，所述样品处理在反应腔内利用物理溅射方法进行，所述反应腔内加速电压为2.5～4千电子伏；电流为80～120微安；通入反应腔内的气体为氩气。采用该方法能够为失效分析提供准确的工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 锗锑碲 样品 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种锗锑碲GST样品的处理方法，所述样品为在刻蚀氧化硅层形成的沟槽内填充GST的样品，在处理之后用于扫描电子显微镜下测试，所述样品处理在反应腔内利用物理溅射方法进行，所述反应腔内加速电压为2.5～4千电子伏；电流为80～120微安；通入反应腔内的气体为氩气。
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