[发明专利]30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件有效
| 申请号： | 200910199437.1 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101719513A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;刘龙平;陈爱军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件，通过缩小漏区右边界到有源区右边界的距离，并缩小漏端接触孔的右边界到漏区的右边界的距离，减小了源漏间距，从而在不影响器件性能的基础上得到更小的器件尺寸和更高的可集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 30 扩散 mos 器件 18 | ||
【主权项】：
一种30V双扩散MOS器件，包括高压阱区；形成于所述高压阱区中的有源区；形成于所述高压阱区上的栅极；分别形成于所述栅极两侧的源区和漏区；漏端漂移区，形成于所述高压阱区和所述漏区之间；源端接触孔，形成于所述源区上；漏端接触孔，形成于所述漏区上；其特征在于，所述漏区右边界到所述有源区右边界的距离小于0.5微米。
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