[发明专利]30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件有效
| 申请号： | 200910199437.1 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101719513A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;刘龙平;陈爱军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 30 扩散 mos 器件 18 | ||
1.一种30V双扩散MOS器件，包括高压阱区；形成于所述高压阱区中的 有源区；形成于所述高压阱区上的栅极；分别形成于所述栅极左侧的源区和形 成于所述栅极右侧的漏区；漏端漂移区，形成于所述高压阱区和所述漏区之间； 源端接触孔，形成于所述源区上；漏端接触孔，形成于所述漏区上；其特征在 于，所述漏区右边界到所述有源区右边界的距离为0，所述漏端接触孔右边界到 所述漏区右边界的距离小于0.28微米。
2.如权利要求1所述的30V双扩散MOS器件，其特征在于，所述30V双 扩散MOS器件采用0.18微米工艺。
3.如权利要求1所述的30V双扩散MOS器件，其特征在于，所述漏端接 触孔右边界到所述漏区右边界的距离为0.1微米或0.2微米。
4.如权利要求1所述的30V双扩散MOS器件，其特征在于，还包括源端 漂移区，所述源端漂移区形成于所述高压阱区和所述源区之间，所述源区左边 界到所述有源区左边界的距离小于0.5微米。
5.如权利要求4所述的30V双扩散MOS器件，其特征在于，所述源区左 边界到所述有源区左边界的距离为0或0.2微米或0.3微米。
6.如权利要求5所述的30V双扩散MOS器件，其特征在于，所述源端接 触孔左边界到所述源区左边界的距离小于0.28微米。
7.如权利要求6所述的30V双扩散MOS器件，其特征在于，所述源端接 触孔左边界到所述源区左边界的距离为0.1微米或0.2微米。
8.一种18V双扩散MOS器件，包括高压阱区；形成于所述高压阱区中的 有源区；形成于所述高压阱区上的栅极；分别形成于所述栅极左侧的源区和形 成于所述栅极右侧的漏区；漏端漂移区，形成于所述高压阱区和所述漏区之间； 源端接触孔，形成于所述源区上；漏端接触孔，形成于所述漏区上；其特征在 于，所述漏区右边界到所述有源区右边界的距离为0，所述漏端接触孔右边界到 所述漏区右边界的距离小于0.2微米。
9.如权利要求8所述的18V双扩散MOS器件，其特征在于，所述18V双 扩散MOS器件采用0.18微米工艺。
10.如权利要求8所述的18V双扩散MOS器件，其特征在于，所述漏端接 触孔右边界到所述漏区右边界的距离为0.1微米或0.15微米。
11.如权利要求8所述的18V双扩散MOS器件，其特征在于，还包括源端 漂移区，所述源端漂移区形成于所述高压阱区和所述源区之间，所述源区左边 界到所述有源区左边界的距离小于0.5微米。
12.如权利要求11所述的18V双扩散MOS器件，其特征在于，所述源区 左边界到所述有源区左边界的距离为0或0.2微米或0.3微米。
13.如权利要求8所述的18V双扩散MOS器件，其特征在于，所述源端接 触孔左边界到所述源区左边界的距离小于0.2微米。
14.如权利要求13所述的18V双扩散MOS器件，其特征在于，所述源端 接触孔左边界到所述源区左边界的距离为0.1微米或0.15微米。
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