[发明专利]一种微米银片表面处理及制备高电导率导电胶的方法无效

专利信息
申请号: 200910199235.7 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN102069186A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 肖斐;张中鲜;陈项艳 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: B22F1/00 分类号: B22F1/00;C09C1/62;C09C3/08;C09J163/00;C09J9/02;H01L21/60
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 包兆宜
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于微电子封装互连材料制备工艺技术领域,具体涉及一种微米银片表面处理技术及以其制备高电导率导电胶的方法。本发明以有机二元酸对银片表面进行活化处理和保护,二元酸能够去除银表面微量的氧化层,并吸附在银表面防止其进一步氧化。将经过活化处理的微米银片填充到由环氧树脂、酸酐固化剂和咪唑类催化剂组成的基体树脂中,制备出了一种高电导率的导电胶。本发明的银片表面处理和导电胶制备方法具有电导率高、工艺简单、使用方便、重复性好等特点,在电子封装等领域中具有广阔的应用前景和实用价值。
搜索关键词: 一种 微米 表面 处理 制备 电导率 导电 方法
【主权项】:
一种微米银片表面活化处理的方法,其特征在于,该方法以有机二元酸对银片表面进行活化处理和保护,通过下述步骤:首先配制一定浓度的有机二元酸溶液作为表面活化处理试剂,将微米银片置于表面活化处理试剂中超声或搅拌10~60分钟,倾去上层清液,以少量溶剂淋洗银片,除去多余的表面活化处理剂,室温下置于真空干燥箱干燥。
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