[发明专利]具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管

摘要

本发明揭露了一种具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其包含至少邻接的二晶体管单元，所述各晶体管单元水平设于硅基板中，且相邻晶体管单元互相对称设置，每一晶体管单元包含一第一、第二超浅沟道结构、一第一、第二型掺杂区，一介于所述第一、第二超浅沟槽结构之间的第二型轻掺杂区。第一、第二型掺杂区不但分别与第一、第二超浅沟槽结构邻接，并与第二型轻掺杂区邻接，另外在第二型轻掺杂区的表面形成一第一型射极结构。本发明能使与基极连接的基极连接导线的内阻变小，以减少整个器件的功率消耗。

主权项

一种具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于包含：一硅基板，其周围形成有一第一型阱区、一第一、第二隔离结构，且所述第一、第二隔离结构分别位于所述第一型阱区的外围与内围；以及至少二晶体管单元，其水平设于所述硅基板中，且每一晶体管单元彼此邻接，同时，相邻两晶体管单元互相对称设置，每一晶体管单元都包含：一第二型掺杂区，其位于所述硅基板中，以作为集电极；一第一型掺杂区，其位于所述硅基板中，且与所述第二型掺杂区邻接；一第一超浅隔离结构，其位于所述硅基板中，并与所述第二型掺杂区邻接；一第二超浅隔离结构，其位于所述硅基板中，并与所述第一型掺杂区邻接；一第一型轻掺杂区，其位于所述第一、第二超浅隔离结构之间，且与所述第一、第二型掺杂区邻接，以作为基极；以及一第二型射极结构，其位于所述硅基板表面，且处于所述第一型轻掺杂区上。