[发明专利]具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管

权利要求书

1.一种具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于包含：

一硅基板，其周围形成有一第一型阱区、一第一、第二隔离结构，且所述第一、第二隔离结构分别位于所述第一型阱区的外围与内围；以及

至少二晶体管单元，其水平设于所述硅基板中，所述晶体管单元彼此邻接，同时，相邻两晶体管单元互相对称设置，每一晶体管单元都包含：

一第二型掺杂区，其位于所述硅基板中，以作为集电极；

一第一型掺杂区，其位于所述硅基板中，且与所述第二型掺杂区邻接；

一第一超浅隔离结构，其位于所述硅基板中，并与所述第二型掺杂区邻接；

一第二超浅隔离结构，其位于所述硅基板中，并与所述第一型掺杂区邻接；

一第一型轻掺杂区，其位于所述第一、第二超浅隔离结构之间，且与所述第一、第二型掺杂区邻接，以作为基极；以及

一第二型射极结构，其位于所述硅基板表面，且处于所述第一型轻掺杂区上。

2.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于每一晶体管单元还包含：

一轻掺杂深阱区，其与所述第二型掺杂区同型，并位于所述第二型掺杂区中；以及

一重掺杂浅阱区，其与所述第二型掺杂区同型，并位于所述轻掺杂深阱区中。

3.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：每一晶体管单元还包含一重掺杂浅阱区，其与所述第一型掺杂区同型，并位于所述第一型掺杂区中。

4.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：所述第二型掺杂区、所述第二型射极结构分别为P型掺杂区、P型射极结构，则所述第一型阱区、所述第一型掺杂区、所述第一型轻掺杂区分别为N型阱区、N型掺杂区、N型轻掺杂区。

5.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：所述第二型掺杂区、所述第二型射极结构分别为N型掺杂区、N型射极结构，则所述第一型阱区、所述第一型掺杂区、所述第一型轻掺杂区分别为P型阱区、P型掺杂区、P型轻掺杂区。

6.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：所述第一型掺杂区的掺杂浓度高于所述第一型轻掺杂区的掺杂浓度。

7.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：所述第二型射极结构为重掺杂多晶硅射极结构。

8.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：所述第一、第二超浅隔离结构为超浅沟槽结构。

9.如权利要求1所述的具有双超浅隔离结构多点式的硅晶体管，其特征在于：所述第一、第二隔离结构为浅沟槽结构。

10.权利要求1所述的具有双超浅隔离结构的多点式硅晶体管，其特征在于：所述第一、第二隔离结构都为方形隔离结构，所述第一型阱区为方形阱区，且所述第一、第二隔离结构与所述第一型阱区均位于所述硅基板周围。