[发明专利]具有双超浅隔离结构的多点式绝缘硅晶体管

摘要

本发明揭露一种具有双超浅隔离结构的多点式绝缘硅晶体管，其包含至少邻接的二晶体管单元，各晶体管单元水平设于绝缘硅基板的硅层中，且相邻晶体管单元互相对称设置，每一晶体管单元包含一第一、第二超浅沟槽结构、一第一、第二型掺杂区，一介于二超浅沟槽结构之间的第二型轻掺杂区。第一、第二型掺杂区不但分别与第一、第二超浅沟槽结构邻接，并与第二型轻掺杂区邻接，另外在第二型轻掺杂区的表面形成一第一型射极结构。本发明能使与基极连接的基极连接导线的内阻变小，以减少整个器件的功率消耗。

主权项

一种具有双超浅隔离结构的多点式绝缘硅晶体管，其特征在于包含：一绝缘硅基板，其包含一硅层，所述硅层周围形成有一隔离结构；以及至少二晶体管单元，其水平设于所述硅层中，且每一所述晶体管单元彼此邻接，相邻两晶体管单元互相对称设置，每一晶体管单元包含：一第一型掺杂区，其位于所述硅层中，以作为集电极；一第二型掺杂区，其位于所述硅层中，且与所述第一型掺杂区邻接；一第一超浅隔离结构，其位于所述硅层中，并与所述第一型掺杂区邻接；一第二超浅隔离结构，其位于所述硅层中，并与所述第二型掺杂区邻接；一第二型轻掺杂区，其位于所述第一、第二超浅隔离结构之间，且与所述第一、第二型掺杂区邻接，以作为基极；以及一第一型射极结构，其位于所述绝缘硅基板表面，且于所述第二型轻掺杂区的上面。