[发明专利]一种液相脉冲激光诱导制备纳米晶二氧化钛薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200910198042.X 申请日: 2009-10-30
公开(公告)号: CN101712450A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 王国兵;付敏恭;杜国平 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B82B3/00;H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 吴瑾瑜
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种液相脉冲激光诱导制备纳米晶二氧化钛薄膜的方法,步骤为,(1)将衬底基片清洗后垂直放入石英容器,浸泡在体积浓度为1%~10%的TiCl4溶液中,其导电面对准激光光源,进行激光脉冲诱导合成反应,使纳米晶二氧化钛沉积在衬底基片表面;反应时间为15~90min;衬底基片与激光光源的距离为10~35cm;激光频率1~30Hz,能量50~1000mJ,功率4~10W;(2)静置24~72小时,取出衬底基片清洗干燥。本方法可以在常温常压下操作,省去复杂的真空沉积系统,而且不需要昂贵的金属为靶源,工艺简单,成膜条件易于控制,薄膜的形貌规整,层次分明,性能优良,为脉冲激光制备薄膜与合成纳米材料提供了一种途径。
搜索关键词: 一种 脉冲 激光 诱导 制备 纳米 氧化 薄膜 方法
【主权项】:
一种液相脉冲激光诱导制备纳米晶二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将衬底基片清洗后垂直放入石英容器,浸泡在体积浓度为1%~10%的TiCl4溶液中,其导电面对准激光光源,进行激光脉冲诱导合成反应,使纳米晶二氧化钛沉积在衬底基片表面;反应时间为15~90min;衬底基片与激光光源的距离为10~35cm;激光的频率为1~30Hz,能量为50~1000mJ,功率为4~10W;(2)静置24~72小时,取出衬底基片清洗干燥。
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