[发明专利]用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法有效
| 申请号： | 200910197576.0 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102039281A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 阮志刚;李剑;陈强;尼风云;邓战强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法，所述方法包括如下步骤：用含有氢氟酸的溶液对晶片进行清洗，以去除晶片表面的钝化层，露出焊盘；使用去离子水对所述晶片表面进行清洗；使用异丙醇溶液对所述晶片表面进行清洗；对所述晶片进行干燥。根据本发明的改进的对晶片焊盘的清洗方法，去除了晶片上残留的F离子，抑制了AlF3的生成，加强了焊盘抗拉强度和接合强度均匀性，提高了半导体器件的质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 表面 进行 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法，所述方法包括如下步骤：用含有氢氟酸的溶液对晶片进行第一次清洗，以去除晶片表面的钝化层，露出焊盘；使用去离子水对所述晶片表面进行第二次清洗；使用异丙醇溶液对所述晶片表面进行第三次清洗；对所述晶片进行干燥。
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