[发明专利]用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法

权利要求书

1.一种用于对晶片焊盘表面进行清洗的方法，所述方法包括如下步骤：

用含有氢氟酸的溶液对晶片进行第一次清洗，以去除晶片表面的钝化层，露出焊盘；

使用去离子水对所述晶片表面进行第二次清洗；

使用异丙醇溶液对所述晶片表面进行第三次清洗；

对所述晶片进行干燥。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述方法还包括如下步骤：

对所述晶片进行电性验收测试；

对所述晶片外观进行检查；

对所述晶片进行封装。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述去离子水的温度为40℃～50℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二次清洗的清洗时间为40～50秒。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第三次清洗的清洗时间为10～20秒。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于将对所述晶片第二次清洗和第三次清洗合并，将所述晶片旋转离心，并喷射去离子水和异丙醇的混合溶液。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于将对所述晶片第二次清洗和第三次清洗合并，将所述晶片浸泡在去离子水中漂洗抖动，然后喷IPA溶液。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述焊盘的材料是铝。