[发明专利]一种禁带宽度连续可调的高介电常数薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910197206.7 | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101692460A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 徐岩;孙清清;王鹏飞;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子材料领域，具体公开了一种禁带宽度连续可调的高介电常数(高k)薄膜材料及其制备方法。本发明所述的禁带宽度连续可调的高k薄膜材料组成通式为(Nb2O5)x(Al2O3)1-x，其中x为摩尔分数，0＜x＜1，通过控制x的值来调节(Nb2O5)x(Al2O3)1-x薄膜中Nb2O5和Al2O3的含量，可以实现其禁带宽度在3.4～8.8eV范围内连续可调。该高k薄膜材料采用原子层淀积的方法来制备。本发明的优点在于该薄膜利用了Nb2O5和Al2O3的协同作用，弥补了Al2O3介电常数较低的缺陷，同时将Al2O3热稳定好的特点融入到薄膜当中，使其具有高介电常数和良好的热稳定性的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽度 连续 可调 介电常数 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种禁带宽度连续可调的高介电常数薄膜材料，其特征是，该薄膜材料是由Nb2O5和Al2O3组成的二元氧化物，其通式为(Nb2O5)x(Al2O3)1-x，其中x为摩尔分数，且0＜x＜1，该薄膜材料的禁带宽度在3.4～8.8eV范围内连续可调。
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