[发明专利]晶片刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910196450.1 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101673682A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;孔蔚然;郭国超;徐爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶片刻蚀方法，晶片依次具有基底层、基础器件层和第二器件层，第二器件层和基础器件层之间采用氧化硅层隔开，并且第二器件层的外周以及未被第二器件层覆盖的基础器件层表面也覆盖有氧化硅层，所述方法包括以下步骤：对氧化硅层表面进行离子植入；对氧化硅层进行湿法刻蚀，停止在基础器件层上表面。本发明提出的方法，通过向氧化硅层定向注入离子，使得氧化硅表层结构疏松，刻蚀速率变快，侧壁由于没有注入离子，保持了原有的刻蚀速率，从而加快了刻蚀工序的时间，减少了氧化硅纵向侧壁侵蚀程度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片刻蚀方法，所述晶片依次具有基底层、基础器件层和第二器件层，所述第二器件层和基础器件层之间采用氧化硅层隔开，并且所述第二器件层的外周以及未被第二器件层覆盖的基础器件层表面也覆盖有氧化硅层，其特征是，所述方法包括以下步骤：对氧化硅层表面进行离子植入；对氧化硅层进行湿法刻蚀，停止在基础器件层上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910196450.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
