[发明专利]晶片刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910196450.1 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101673682A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗;孔蔚然;郭国超;徐爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片刻蚀方法，所述晶片依次具有基底层、基础器件层和第二器件 层，所述第二器件层和基础器件层之间采用氧化硅层隔开，并且所述第二器件 层的外周以及未被第二器件层覆盖的基础器件层表面也覆盖有氧化硅层，其特 征是，所述方法包括以下步骤：
沿氧化硅层的侧壁，垂直于氧化硅层的方向，对氧化硅层表面进行离子植 入；
对氧化硅层进行湿法刻蚀，停止在基础器件层上表面。
2.根据权利要求1所述的晶片刻蚀方法，其特征是，其中该离子植入步骤 中，植入的为氩离子。
3.根据权利要求2所述的晶片刻蚀方法，其特征是，其中该氩离子的注入 能量为2keV、浓度为2E15/cm2。
4.根据权利要求1所述的晶片刻蚀方法，其特征是，其中该离子植入步骤 中，植入的为砷离子。
5.根据权利要求1所述的晶片刻蚀方法，其特征是，其中湿法刻蚀步骤中， 采用稀释的氢氟酸作为刻蚀溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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