[发明专利]阻抗存储器制作方法以及阻抗存储器有效
| 申请号： | 200910196430.4 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102034927A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 黄晓辉;鲍震雷;季明华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻抗存储器的制作方法，包括：在衬底上沉积下电极阻挡层，并在下电极阻挡层上形成用于容纳下电极的凹槽；在凹槽内填充下电极材料，形成下电极；在下电极阻挡层以及下电极上形成可变电阻金属氧化层；在可变电阻金属氧化层上形成上电极；刻蚀掉上电极所在区域以外的可变电阻金属氧化层；在可变电阻金属氧化层的侧面沉积边缘阻挡层。本发明同时公开了一种阻抗存储器。应用本发明所述的技术方案，能够较好地维持可变电阻金属氧化层中的金属原子数和氧原子数不变。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 存储器 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
一种阻抗存储器的制作方法，该方法包括：在衬底上沉积下电极阻挡层，并在下电极阻挡层上形成用于容纳下电极的凹槽；在凹槽内填充下电极材料，形成下电极；在下电极阻挡层以及下电极上形成可变电阻金属氧化层；在可变电阻金属氧化层上形成上电极；所述下电极材料和上电极材料均选用能够防止所述可变电阻金属氧化层中的金属原子和氧原子向外迁移，且自身原子不会向所述可变电阻金属氧化层内迁移的材料；刻蚀掉上电极所在区域以外的可变电阻金属氧化层，并在刻蚀后的可变电阻金属氧化层的侧面沉积边缘阻挡层。
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