[发明专利]阻抗存储器制作方法以及阻抗存储器

权利要求书

1.一种阻抗存储器的制作方法，该方法包括：

在衬底上沉积下电极阻挡层，并在下电极阻挡层上形成用于容纳下电极的凹槽；

在凹槽内填充下电极材料，形成下电极；

在下电极阻挡层以及下电极上形成可变电阻金属氧化层；

在可变电阻金属氧化层上形成上电极；所述下电极材料和上电极材料均选用能够防止所述可变电阻金属氧化层中的金属原子和氧原子向外迁移，且自身原子不会向所述可变电阻金属氧化层内迁移的材料；

刻蚀掉上电极所在区域以外的可变电阻金属氧化层，并在刻蚀后的可变电阻金属氧化层的侧面沉积边缘阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在下电极阻挡层以及下电极上形成可变电阻金属氧化层包括：

通过溅射或化学气相淀积工艺在下电极阻挡层以及下电极上沉积金属层；

通过氧化工艺将沉积的金属层氧化为金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化铜时，所述下电极阻挡层材料为氮化硅；所述下电极材料为氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化钨时，所述下电极阻挡层材料为氮化硅；所述下电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化镍时，所述下电极阻挡层材料为氮化硅；所述下电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化钛时，所述下电极阻挡层材料为氮化硅；所述下电极材料为氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化钴时，所述下电极阻挡层材料为氮化硅；所述下电极材料为氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在下电极阻挡层以及下电极上形成可变电阻金属氧化层之后，进一步包括：通过离子注入工艺向所述可变电阻金属氧化层中注入杂质。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述杂质为氧、氟、氮、氯或硅。

6.一种阻抗存储器，包括：下电极、上电极以及位于所述下电极和上电极之间的可变电阻金属氧化层；其中，所述可变电阻金属氧化层的侧面沉积有边缘阻挡层，另外，所述下电极材料和上电极材料均为能够防止所述可变电阻金属氧化层中的金属原子和氧原子向外迁移，且自身原子不会向所述可变电阻金属氧化层内迁移的材料。

7.根据权利要求6所述的阻抗存储器，其特征在于，

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化铜时，所述下电极材料为氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化钨时，所述下电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化镍时，所述下电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钨、氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化钛时，所述下电极材料为氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅；

当所述可变电阻金属氧化层材料为氧化钴时，所述下电极材料为氮化钽或氮化钛；所述上电极材料为氮化钽或氮化钛；所述边缘阻挡层材料为氮化硅。