[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200910195841.1 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024754A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 邹立;罗飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述的半导体衬底上具有突出结构；采用沉积工艺在所述的半导体衬底上依次沉积第一介质层和刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层和第一介质层在突出结构对应位置的上表面高于其它位置的上表面；采用旋涂工艺在刻蚀阻挡层上形成在不同位置上表面相同的第二介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第二介质层至暴露出刻蚀阻挡层的最高点；采用第二刻蚀工艺刻蚀所述的第二介质层、刻蚀阻挡层以及第一介质层，直至完全去除所述刻蚀阻挡层。所述的方法在整个晶圆上不同位置余下的第一介质层的厚度是相同的，并且可以实现减小第一介质层厚度，从而提高半导体器件的光灵敏度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述的半导体衬底上具有突出结构；采用沉积工艺在所述的半导体衬底上依次沉积第一介质层和刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层和第一介质层在突出结构对应位置的上表面高于其它位置的上表面；采用旋涂工艺在刻蚀阻挡层上形成在不同位置上表面相同的第二介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第二介质层至暴露出刻蚀阻挡层的最高点；采用第二刻蚀工艺刻蚀所述的第二介质层、刻蚀阻挡层以及第一介质层，直至完全去除所述刻蚀阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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