[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述的半导体衬底上具有突出结构；

采用沉积工艺在所述的半导体衬底上依次沉积第一介质层和刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层和第一介质层在突出结构对应位置的上表面高于其它位置的上表面；

采用旋涂工艺在刻蚀阻挡层上形成在不同位置上表面相同的第二介质层；

采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第二介质层至暴露出刻蚀阻挡层的最高点；

采用第二刻蚀工艺刻蚀所述的第二介质层、刻蚀阻挡层以及第一介质层，直至完全去除所述刻蚀阻挡层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，进一步包括采用第二刻蚀工艺进一步过刻蚀所述第一介质层，形成设定厚度的第一介质层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用旋涂工艺在刻蚀阻挡层上形成在不同位置上表面相同的第二介质层之后，进一步包括：烘烤所述第二介质层使其固化；采用等离子体处理所述第二介质层，使第二刻蚀工艺刻蚀剂对第二介质层的刻蚀速率与对刻蚀阻挡层和第一介质层的刻蚀速率相同。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述的烘烤所述第二介质层使其固化的温度为150～300摄氏度，时间为1～30分钟。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用等离子体处理的工艺为：压强0.3～3Torr，等离子射频功率为800～3000W，晶圆温度为250～350℃，处理时间为30～60秒，其中氮气或者惰性气体的流量为1500～3500sccm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第一刻蚀工艺的刻蚀剂包括CF₄，CHF₃，O₂，CF₄的气体流量为20～50sccm，CHF₃的气体流量为10～40sccm，O₂的气体流量为5～20sccm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，第二刻蚀工艺的刻蚀剂包括CHF₃，CH₂F₂，Ar，CHF₃的气体流量为20～40sccm，CH₂F₂的气体流量为10～30sccm，Ar的气体流量为100～200sccm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述的突出结构为栅极结构或者金属互连线结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述的第一介质层采用高密度等离子体沉积工艺形成。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述的第二介质层材料为DUO。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述的刻蚀阻挡层材料为氮化硅或者氮氧化硅。