[发明专利]量测外延设备腔体温度的方法无效
| 申请号： | 200910188705.X | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102087953A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;张元 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;G01K7/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种量测外延设备腔体温度的方法，包括：生长氧化层；离子注入；在外延设备腔体内进行退火工艺处理；经氧化层全剥处理并测量预定的方块电阻分布；根据测得的方块电阻阻值及温度与电阻关系获取对应的温度分布，来量测外延设备的温度。上述量测外延设备腔体温度的方法，采用注入离子并在外延设备腔体内退火，测量预定的方块电阻分布，然后获取对应温度分布，获取了外延设备腔体内各个区域的整体温度分布，从而能更全面地监控外延设备腔体的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 设备 体温 方法 | ||
【主权项】：
一种量测外延设备腔体温度的方法，包括：生长氧化层；离子注入；在外延设备腔体内进行退火工艺处理；经氧化层全剥处理并测量预定的方块电阻分布；根据测得的方块电阻阻值及温度与电阻关系获取对应的温度分布，来量测外延设备的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
