[发明专利]量测外延设备腔体温度的方法无效
| 申请号： | 200910188705.X | 申请日： | 2009-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102087953A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;张元 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;G01K7/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 设备 体温 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种量测外延设备腔体温度的方法，包括：
生长氧化层；
离子注入；
在外延设备腔体内进行退火工艺处理；
经氧化层全剥处理并测量预定的方块电阻分布；
根据测得的方块电阻阻值及温度与电阻关系获取对应的温度分布，来量测外延设备的温度。
2.根据权利要求1所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述晶圆为P型片。
3.根据权利要求2所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述晶圆衬底电阻率为15～25欧姆·厘米。
4.根据权利要求1所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述氧化层厚度为
5.根据权利要求1所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述离子注入的能量为80千电子伏，剂量为每平方厘米6×1013个原子。
6.根据权利要求1所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述退火工艺的退火温度为1070℃～1150℃。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述温度与电阻关系采用拟合曲线的方法获得。
8.根据权利要求1所述的量测外延设备腔体温度的方法，其特征在于：所述测量方块电阻阻值分布采用4探针法，测49点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910188705.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SONOS结构及其形成方法
- 下一篇：用纯银作内电极制造氧化锌变阻器的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
