[发明专利]用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液无效
| 申请号： | 200910187632.2 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101671528A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 侯军;程宝君;吴聪 | 申请（专利权）人： | 大连三达奥克化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 大连非凡专利事务所 | 代理人： | 闪红霞 |
| 地址： | 116023辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，由磨料、活性剂、分散剂、螯合剂、pH调节剂及纯水组成，pH值为9.0～12.0，原料及质量百分比为：磨料0.1％～20％、螯合剂0.1％～2％、分散剂0.1％～5％、活性剂0.1％～5％、pH调节剂0.01％～10％、纯水小于或等于90％。可明显提高抛光速率(去除率达到710nm)、对单晶硅片产生较低的表面缺陷、并降低表面粗糙度(可达0.18nm)，从而实现对单晶硅片的高效超精化学机械抛光，保证单晶硅片表面精细质量。本发明的抛光液为碱性，抛光后清洗方便，对设备无腐蚀，延长设备使用寿命、降低加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 单晶硅 化学 机械抛光 抛光 | ||
【主权项】：
1.一种用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于由磨料、活性剂、分散剂、螯合剂、pH调节剂及纯水组成，pH值为9.0～12.0，原料及质量百分比为：磨料 0.1％～20％螯合剂 0.1％～2％分散剂 0.1％～5％活性剂 0.1％～5％pH调节剂 0.01％～10％纯水 小于或等于90％。
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