[发明专利]用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液

权利要求书

1.一种用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于由磨料、活性剂、分散剂、螯合剂、pH调节剂及纯水组成，pH值为9.0～12.0，原料及质量百分比为：

磨料        0.1％～20％

螯合剂      0.1％～2％

分散剂      0.1％～5％

活性剂      0.1％～5％

pH调节剂    0.01％～10％

纯水        小于或等于90％。

2.根据权利要求1所述的用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于：所述的磨料为SiO₂和Al₂O₃的水溶胶颗粒、表面覆盖铝SiO₂水溶胶颗粒的至少一种。

3.根据权利要求2所述的用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于：所述磨料的粒径为30～160nm。

4.根据权利要求3所述的用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于：所述螯合剂为乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、次氮基三乙酸及其铵盐或钠盐中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于：所述分散剂为环氧乙烷-环氧丙烷嵌段共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇与聚苯乙烯嵌段共聚物、聚丙烯酸及其盐、聚乙二醇、聚乙烯亚胺、季铵盐型阳离子表面活性剂中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于：所述活性剂为异构醇聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚中的至少一种，分子通式分别为R₁O(C₂H₄O)_mH、R₂O(C₂H₄O)_m(C₃H₆O)_nH，其中R₁为C10-C14的烷基，R₂为C10-C18的烷基，m和n分别是环氧乙烷基和环氧丙烷的聚合数，聚合数为3～20。

7.根据权利要求6所述的用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液，其特征在于：所述pH调节剂为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、三甲基苄基氢氧化铵、三甲基羟乙基氢氧化铵、二甲基二羟乙基氢氧化铵、二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺中的至少一种。