[发明专利]纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法

摘要

一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，包括N型掺杂类型半导体衬底，在衬底上设有N型外延层，在外延层中设有高浓度P型半导体区，在高浓度P型半导体区中设有氧化填充物，在外延层的顶部设有P型半导体区，在此P型半导体区中设有N型源区，该器件的高浓度P型半导体区是通过在深槽刻蚀后，向深槽中注入气态氧化硼，气态氧化硼和侧壁及底部的硅反应生成硼和二氧化硅，经过的热退火推阱工艺后形成。该种制备方法工艺简单，成本低，制造出来的器件的可靠性高。

主权项

一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先取一块N型掺杂类型半导体衬底(1)，然后在N型掺杂类型半导体衬底(1)上生长N型掺杂类型半导体外延层(2)，接着在N型掺杂类型半导体外延层(2)上生成间隔距离相等的P型掺杂半导体区(4)，接着从P型掺杂半导体区(4)向N型掺杂类型半导体外延层(2)刻蚀并形成深槽(51)，深槽(51)穿过P型掺杂半导体区(4)，接着向深槽中通入气态氧化硼，气态氧化硼和深槽(51)底部及侧壁的硅反应生成二氧化硅和硼，接着经过热退火工艺工程，使生成的硼扩散进入到深槽侧壁及底部未和气态氧化硼反应的硅中，并使得这部分半导体区域变为P型半导体区(3)，同时在深槽侧壁及底部形成二氧化硅层(61)，接着向深槽中填满二氧化硅，接着去除器件表面多余的二氧化硅，留下的二氧化硅称为二氧化硅介质层(9)，接着在P型掺杂半导体区(4)中生成N型掺杂半导体源区(5)，最后依次生成栅氧化层(6)，多晶硅栅(7)和金属层(8)。