[发明专利]纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法有效
| 申请号： | 200910185324.6 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101853785A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;李海松;王钦;杨东林;陶平 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/22;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄雪兰 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纵向 高压 扩散 半导体 制备 方法 | ||
1.一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先取一块N型掺杂类型半导体衬底(1)，然后在N型掺杂类型半导体衬底(1)上生长N型掺杂类型半导体外延层(2)，接着在N型掺杂类型半导体外延层(2)上生成间隔距离相等的P型掺杂半导体区(4)，接着从P型掺杂半导体区(4)向N型掺杂类型半导体外延层(2)刻蚀并形成深槽(51)，深槽(51)穿过P型掺杂半导体区(4)，接着向深槽中通入气态氧化硼，气态氧化硼和深槽(51)底部及侧壁的硅反应生成二氧化硅和硼，接着经过热退火工艺工程，使生成的硼扩散进入到深槽侧壁及底部未和气态氧化硼反应的硅中，并使得这部分半导体区域变为P型半导体区(3)，同时在深槽侧壁及底部形成二氧化硅层(61)，接着向深槽中填满二氧化硅，接着去除器件表面多余的二氧化硅，留下的二氧化硅称为二氧化硅介质层(9)，接着在P型掺杂半导体区(4)中生成N型掺杂半导体源区(5)，最后依次生成栅氧化层(6)，多晶硅栅(7)和金属层(8)。
2.根据权利要求1所述的纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)的浓度可以通过调节通入到深槽中的气态氧化硼的浓度来控制，气态氧化硼的浓度越高，则P型掺杂半导体区(3)的浓度越高。
3.根据权利要求1所述的纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)的宽度由热退火工艺步骤的时间来决定，时间越长，宽度越宽。
4.根据权利要求1所述的纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)的受主杂质为硼。
5.根据权利要求1所述的纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，其特征在于P型掺杂半导体区(3)和二氧化硅介质层(9)构成的整体在器件的横向方向上的间隔距离是相等的。
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