[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200910179794.1 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101728360A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 窪田吉孝;高冈洋道;津田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。半导体器件(200)包括电熔丝(100)，该电熔丝(100)包括：上层熔丝互连(112)，该上层熔丝互连(112)形成在基板(未示出)上；下层熔丝互连(12)；以及通孔(130)，该通孔(130)连接到上层熔丝互连(112)的一端，并且连接上层熔丝互连(112)和下层熔丝互连(122)。上层熔丝互连(112)在所述一端的一侧包括具有小互连宽度的宽度变化区域(118)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；以及电熔丝，所述电熔丝包括：第一熔丝互连，其形成在所述基板上；第二熔丝互连，其形成在与形成所述基板上的所述第一熔丝互连的层不同的层中；以及通孔，其连接到所述第一熔丝互连的一端，并且连接所述第一熔丝互连和所述第二熔丝互连，其中，所述第一熔丝互连在所述一端的一侧包括具有小互连宽度的宽度变化区域。
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