[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；以及

电熔丝，所述电熔丝包括：

第一熔丝互连，其形成在所述基板上；

第二熔丝互连，其形成在与形成所述基板上的所述第一熔丝互连的层不同的层中；以及

通孔，其连接到所述第一熔丝互连的一端，并且连接所述第一熔丝互连和所述第二熔丝互连，

其中，所述第一熔丝互连在所述一端的一侧包括具有小互连宽度的宽度变化区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电熔丝通过流出部而断开，其中当在断开期间形成所述电熔丝的导电材料从所述第一熔丝互连向外流出时形成所述流出部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述电熔丝被断开，从而在所述通孔处形成断开点。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述宽度变化区域的互连宽度在与所述通孔的连接点附近变得更小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述宽度变化区域具有如下结构：所述第一熔丝互连中具有最小互连宽度的部分形成在与所述通孔的连接点附近。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述宽度变化区域被形成为使得当将电压施加到所述电熔丝时，温度在所述第一熔丝互连与所述通孔的连接点附近变得更高。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一熔丝互连具有比所述第二熔丝互连的体积更大的体积。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一熔丝互连具有比所述第二熔丝互连的长度更长的长度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

形成所述第一熔丝互连的层设置在形成所述第二熔丝互连的层上方；

所述第一熔丝互连、所述第二熔丝互连以及通孔中的每个由含铜金属膜和阻挡金属膜形成，所述阻挡金属膜覆盖所述含铜金属膜的侧表面和底表面；以及

在断开之前，所述阻挡金属膜形成在所述第二熔丝互连与所述通孔之间，以便与形成所述第二熔丝互连和所述通孔中的每个的所述含铜金属膜接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一熔丝互连以及所述第二熔丝互连被形成为：除了与所述通孔相连接的区域之外，在平面图上彼此不重叠。