[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法有效
申请号: | 200910179076.4 | 申请日: | 2006-08-11 |
公开(公告)号: | CN101673760A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 须泽英臣;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/12;H05B33/14;H05B33/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本发明的一个特征,根据以下步骤制造显示设备:形成半导体层;在半导体层上形成栅绝缘层;在栅绝缘层上形成栅电极层;形成与半导体层接触的源电极层和漏电极层;形成电连接到源电极层或漏电极层的第一电极层;在第一电极层的一部分,栅电极层,源电极层和漏电极层上形成无机绝缘层;使该无机绝缘层和第一电极层进行等离子体处理;在已进行等离子体处理的无机绝缘层和第一电极层上形成电致发光层;和在电致发光层上形成第二电极层。 | ||
搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.发光显示设备,它包括:形成在基材上的薄膜晶体管;在薄膜晶体管上的中间层绝缘膜;形成在中间层绝缘膜上的布线,其中布线电连接到薄膜晶体管上;形成在布线上的第一电极,其中第一电极电连接到布线上;形成在第一电极上的无机绝缘膜,其中无机绝缘膜具有到达第一电极的开口;通过进行等离子体处理形成在无机绝缘膜的开口处的圆角;在无机绝缘膜上的电致发光层;和形成在电致发光层上的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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