[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法

权利要求书

1.发光显示设备，它包括：

形成在基材上的薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上的中间层绝缘膜；

形成在中间层绝缘膜上的布线，其中布线电连接到薄膜晶体管上；

形成在布线上的第一电极，其中第一电极电连接到布线上；

形成在第一电极上的无机绝缘膜，其中无机绝缘膜具有到达第一 电极的开口；

通过进行等离子体处理形成在无机绝缘膜的开口处的圆角，其中 所述等离子体处理是用1×10¹¹cm^-3到1×10¹³cm^-3的电子密度和0.5eV 到1.5eV的等离子体电子温度在氮或氧气氛中来进行的；

在无机绝缘膜上的电致发光层；和

形成在电致发光层上的第二电极。

2.根据权利要求1的发光显示设备，其中无机绝缘膜包括氧化硅 和氧化铝中的任何一种。

3.根据权利要求1的发光显示设备，其中无机绝缘膜为氧化硅 层，且

其中在从已进行等离子体处理的氧化硅层的表面至1nm深度的部 分中氧化硅层包括20-50原子％的氮浓度。

4.根据权利要求1的发光显示设备，其中无机绝缘膜在无机绝缘 膜的端部和第一电极之间包括40-60度的锥角。

5.发光显示设备，它包括：

形成在基材上的薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上的中间层绝缘膜；

形成在中间层绝缘膜上的布线，其中布线电连接到薄膜晶体管上；

形成在布线上的第一电极，其中第一电极电连接到布线上；

形成在第一电极上的第一无机绝缘膜；

形成在第一无机绝缘膜上的第二无机绝缘膜，其中第一和第二无 机绝缘膜具有到达第一电极的开口；

通过进行等离子体处理形成在第二无机绝缘膜的开口处的圆角， 其中所述等离子体处理是用1×10¹¹cm^-3到1×10¹³cm^-3的电子密度和 0.5eV到1.5eV的等离子体电子温度在氮或氧气氛中来进行的；

在第二无机绝缘膜和第一电极上的电致发光层；和

形成在电致发光层上的第二电极。

6.根据权利要求5的发光显示设备，其中第一无机绝缘膜包括氮 化硅和氮化铝中的任何一种。

7.根据权利要求5的发光显示设备，其中第二无机绝缘膜包括氧 化硅和氧化铝中的任何一种。

8.根据权利要求5的发光显示设备，其中第二无机绝缘膜为氧化 硅层，且

其中在从已进行等离子体处理的氧化硅层的表面至1nm深度的部 分中氧化硅层包括20-50原子％的氮浓度。

9.根据权利要求5的发光显示设备，其中第一无机绝缘膜在第一 无机绝缘膜的端部和第一电极之间包括40-60度的锥角。

10.发光显示设备，它包括：

形成在基材上的薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上的中间层绝缘膜；

形成在中间层绝缘膜上的布线，其中布线电连接到薄膜晶体管上；

形成在布线上的第一电极，其中第一电极电连接到布线上；

形成在第一电极上的无机绝缘膜，其中无机绝缘膜具有到达第一 电极的开口；

通过进行等离子体处理形成在无机绝缘膜的开口处的圆角，其中 所述等离子体处理是用1×10¹¹cm^-3到1×10¹³cm^-3的电子密度和0.5eV 到1.5eV的等离子体电子温度在氮或氧气氛中来进行的；

在无机绝缘膜上的电致发光层；和

形成在电致发光层上的第二电极，

其中开口具有锥角。

11.根据权利要求10的发光显示设备，其中无机绝缘膜包括氧化 硅和氧化铝中的任何一种。