[发明专利]光掩膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200910177332.6 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101713914A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑东旭;黄健朝;林政旻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制造光掩膜的方法。在衬底上沉积掩膜层(如铬)。在该铬层上进行等离子处理。在处理的铬层上形成光致抗蚀剂层。在实施例中，等离子处理粗糙化了铬层。在实施例中，等离子处理在铬层上形成阻挡膜。使用该光致抗蚀剂层图形化亚分辨率辅助图形。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光掩膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；在所述掩膜层上进行等离子处理；和在该处理的掩膜层上形成光致抗蚀剂层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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