[发明专利]光掩膜及其制造方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体制造技术，具体地涉及光掩膜及制造光掩膜 的方法。

背景技术

在半导体制造中，光掩膜用于确定在光刻工艺过程中向诸如半导体晶 片的衬底上印制图形。然而，光干涉和其它影响可引起预期图形的改变。 为了阻止这些影响，亚分辨率辅助图形(SRAF)被包括在光掩膜上作为分 辨率增强技术(RET)尤其是光学近距修正(OPC)的应用。SRAF可增加 主图形(例如，成像在衬底上的图形)及与其相关的图形的成像分辨率。

亚分辨率辅助图形包括通常邻近主图形设置的窄材料线。主图形可结 合多个SRAF。如散射条的SRAF在本领域也是公知的。作为SRAF，散射 条不期望成像在晶片上，它们的尺寸非常小。此外，由于IC的主图形尺寸 减小，那么SRAF是必须的。因此，SRAF的控制，尤其是具有较小技术节 点的工艺的控制，变得困难。

这样，需要改进的包括SRAF的光掩膜及其制造方法。

发明内容

因而，本公开提供了一种制造光掩膜的方法。该方法包括提供衬底。 在该衬底上沉积铬层。在该铬层上进行等离子处理。在处理后的铬层上形 成光致抗蚀剂层。在实施例中，对光致抗蚀剂层图形化以形成掩膜元件用 于SRAF。等离子处理可以粗糙化光掩膜的表面。

还提供了一种包括提供透明衬底的制造光掩膜的方法。在透明衬底上 沉积铬层。在铬层上形成阻挡膜。在阻挡膜上直接形成光致抗蚀剂层。在 实施例中，通过等离子处理形成阻挡膜。在实施例中，阻挡膜是氧化硅。

还提供了另一种制造光掩膜的方法。该方法包括提供衬底和在该衬底 上沉积衰减材料层。在该铬层上进行等离子处理，以在该铬层上形成阻挡 膜。在该阻挡膜上直接形成光致抗蚀剂层。

附图说明

结合附图阅读时根据下面的具体描述能够最好地理解本公开的各方 面。需要强调的是，根据工业中的标准操作，各种图形不是按比例绘制的。 实际上，为了清楚的理解，各种图形的大小可任意增大或减小。

图1示出包括主图形和多个SRAF的光掩膜版图的实施例的俯视图。

图2示出光掩膜实施例的截面图。

图3示出包括光致抗蚀剂图形的光掩膜的传统实施例的截面图。

图4示出提供光掩膜的方法实施例的流程图。

图5示出包括生成阻挡膜的提供光掩膜的方法实施例的流程图。

图6示出包括阻挡膜的光掩膜的实施例的截面图。

图7示出包括形成在阻挡膜上的光致抗蚀剂图形的光掩膜的实施例的 截面图。

具体实施方式

本公开通常涉及光刻，特别地涉及提供在半导体器件制造中使用的光 掩膜上的亚分辨率辅助图形(SRAF)。但是应该理解，提供的具体实施例 作为例子，教导较广泛的创造性概念，并且本领域的普通技术人员可容易 地应用本公开的教导到其它的方法或装置。例如，尽管此处描述了提供用 于半导体器件制造的光掩膜，但是任何光刻工艺都可以受益于该公开，例 如，使用玻璃衬底光掩膜形成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)衬底。 另外，应该理解，本公开中论述的方法和装置包括一些常规结构和/或工艺。 由于这些结构和工艺是本领域众所周知的，因此仅在普通细节的水平上讨 论。此外，为了方便和举例，在整个附图中重复使用参考标号，并且这样 的重复不表示整个附图中任何需要的特征或步骤组合。最后，尽管此处描 述了提供用于改进的带有SRAF的光致抗蚀剂图形的附着力的方法和装 置，这里描述的结构和/或工艺可提供利于生成与图形相关的光致抗蚀剂图 形或图案，包括主图形。