[发明专利]半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法无效
| 申请号： | 200910176186.5 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101685845A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 平田晋太郎;保原大介 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法，其中，形成半导体薄膜的方法包括以下步骤：(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层，以及(b)将半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜。通过本发明，可以使用无机半导体微粒作为起始材料通过简单方便的湿处理来以低成本地形成具有期望特性的半导体薄膜，从而提供具有期望特性的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 形成 方法 以及 电子设备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜的形成方法，包括以下步骤：(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进行干燥以形成半导体微粒层；以及(b)将所述半导体微粒层浸入溶液中以形成半导体薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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