[发明专利]半导体薄膜的形成方法以及电子设备的制造方法

权利要求书

1.一种半导体薄膜的形成方法，包括以下步骤：

(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液并对涂层进 行干燥以形成半导体微粒层，所述基板的一部分进行了表面处 理以具有与所述无机半导体微粒的亲和性，并且所述无机半导 体微粒的表面上形成有保护层，所述保护层的材料是具有能结 合到所述无机半导体微粒的官能团的分子；以及

(b)将所述半导体微粒层浸入半导体薄膜形成溶液中以 形成半导体薄膜，其中

所述半导体薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙 醇，并且

经过步骤(a)，所述基板上存在所述无机半导体微粒的比 率为80％以上；并且经过步骤(b)，所述基板上存在所述半 导体薄膜的比率为95％以上。

2.根据权利要求1所述的半导体薄膜的形成方法，其中，所述无 机半导体微粒由从由硒化铅、硒化锡、硒化锗、硒化镉、硒化 锌、硫化铅、硫化锡、硫化锗、硫化镉、硫化锌、碲化铅、碲 化锡、碲化锗、碲化镉和碲化锌构成的组中选出的至少一种材 料构成。

3.根据权利要求1所述的半导体薄膜的形成方法，其中，所述二 硫醇化合物是烷烃二硫醇、苯二硫醇或噻吩二硫醇。

4.一种电子设备的制造方法，所述电子设备包括(A)控制电极、 (B)第一电极和第二电极、以及(C)由半导体薄膜构成并 设置在所述第一电极和所述第二电极之间以通过绝缘层面对 所述控制电极的活性层，

其中，所述半导体薄膜通过以下步骤形成：

(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液以形成涂层 并对所述涂层进行干燥以形成半导体微粒层，所述基板的一部 分进行了表面处理以具有与所述无机半导体微粒的亲和性，并 且所述无机半导体微粒的表面上形成有保护层，所述保护层的 材料是具有能结合到所述无机半导体微粒的官能团的分子；以 及

(b)将所述半导体微粒层浸入半导体薄膜形成溶液中， 其中

所述半导体薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙 醇，并且

经过步骤(a)，所述基板上存在所述无机半导体微粒的比 率为80％以上；并且经过步骤(b)，所述基板上存在所述半 导体薄膜的比率为95％以上。

5.根据权利要求4所述的电子设备的制造方法，其中，所述电子 设备包括场效应晶体管，其中，所述控制电极对应于栅电极， 第一和第二电极对应于源/漏电极，所述绝缘层对应于栅极绝 缘层，而所述活性层对应于沟道形成区域。

6.一种电子设备的制造方法，所述电子设备包括(A)第一电极 和第二电极、以及(B)由半导体薄膜构成并设置在所述第一 电极和所述第二电极之间的活性层，

其中，所述半导体薄膜通过以下步骤形成：

(a)在基板上涂敷无机半导体微粒分散溶液以形成涂层 并对所述涂层进行干燥以形成半导体微粒层，所述基板的一部 分进行了表面处理以具有与所述无机半导体微粒的亲和性，并 且所述无机半导体微粒的表面上形成有保护层，所述保护层的 材料是具有能结合到所述无机半导体微粒的官能团的分子；以 及

(b)将所述半导体微粒层浸入半导体薄膜形成溶液中， 其中

所述半导体薄膜形成溶液包括含有二硫醇化合物的乙 醇，并且

经过步骤(a)，所述基板上存在所述无机半导体微粒的比 率为80％以上；并且经过步骤(b)，所述基板上存在所述半 导体薄膜的比率为95％以上。

7.根据权利要求4或6所述的电子设备的制造方法，其中，所述 无机半导体微粒由从由硒化铅、硒化锡、硒化锗、硒化镉、硒 化锌、硫化铅、硫化锡、硫化锗、硫化镉、硫化锌、碲化铅、 碲化锡、碲化锗、碲化镉和碲化锌构成的组中选出的至少一种 材料构成。

8.根据权利要求4或6所述的电子设备的制造方法，其中，所述 二硫醇化合物是烷烃二硫醇、苯二硫醇或噻吩二硫醇。