[发明专利]第Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910175610.4 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101714599A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 破田野贵司;神谷真央 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;陈炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述发光器件包括：p型层、包含氧化物并且形成于所述p型层上的透明电极、包含镍/金并且形成于所述透明电极上以及所述发光器件的表面侧的p焊盘电极、以及包含镍/金并且形成于所述发光器件的所述表面侧的n电极；所述方法包括同时形成所述p焊盘电极和所述n电极的步骤。
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