[发明专利]第Ⅲ族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件 的方法，所述发光器件包括：p型层、包含氧化物并且形成于所述p型层 上的透明电极、包含镍/金并且形成于所述透明电极上以及所述发光器件 的表面侧的p焊盘电极、以及包含镍/金并且形成于所述发光器件的所述 表面侧的n电极；所述方法包括同时形成所述p焊盘电极和所述n电极 的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在形成所述p焊盘电 极和所述n电极的步骤之后，通过在500℃至650℃进行的热处理，在所 述透明电极中紧挨所述p焊盘电极下方形成高电阻区域，其中所述高电阻 区域对所述p型层的接触电阻高于所述透明电极中除所述高电阻区域之 外的区域对所述p型层的接触电阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述透明电极包含基于氧化铟 的材料。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述透明电极包含基于氧化铟 的材料。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述透明电极包含从由ITO和 ICO构成的组中选择的任何一种。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述透明电极包含从由ITO和 ICO构成的组中选择的任何一种。

7.一种具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件，所述发 光器件包括：p型层、包含氧化物并且形成于所述p型层上的透明电极、 包含含有从由镍和钛构成的组中选择的任何一种的材料并且形成于所述 透明电极上以及所述发光器件的表面侧的p焊盘电极、以及在所述发光器 件的所述表面侧的n电极，其中所述透明电极包括紧挨所述p焊盘电极下 方的高电阻区域，所述高电阻区域对所述p型层的接触电阻高于所述透明 电极中除所述高电阻区域之外的区域对所述p型层的接触电阻。

8.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述p焊盘电极包含镍/金。

9.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述n电极包含镍/金。

10.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述透明电极包含基于氧化铟的材料。

11.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述透明电极包含基于氧化铟的材料。

12.根据权利要求9所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述透明电极包含基于氧化铟的材料。

13.根据权利要求10所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中 所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。

14.根据权利要求11所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。

15.根据权利要求12所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中 所述透明电极包含从由ITO和ICO构成的组中选择的任意一种。

16.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述p焊盘电极和所述n电极中的任意一个或两者都包括用作延伸电极的布 线。

17.根据权利要求9所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所 述p焊盘电极和所述n电极中的任意一个或两者都包括用作延伸电极的布 线。