[发明专利]影像传感器结构及其制法有效
| 申请号: | 200910174746.3 | 申请日: | 2009-09-17 | 
| 公开(公告)号: | CN102024829A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 | 
| 发明(设计)人: | 余政宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 | 
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
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| 摘要: | 本发明揭示影像传感器结构及其制法以避免或减轻暗影效应。该影像传感器结构包括基底;传感元件阵列,其设置于基底表面;介电层,其覆盖传感元件阵列,介电层包括上表面,上表面包括凹盘结构;底层,其填入于凹盘结构,底层具有折射率,其折射率大于介电层的折射率;滤光片阵列,设置于底层上,对应传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于滤光片阵列上。可另设置顶层覆盖滤光片阵列,再设置微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词: | 影像 传感器 结构 及其 制法 | ||
【主权项】:
                一种影像传感器结构,包括:基底;传感元件阵列,其设置于该基底表面;介电层,其覆盖该传感元件阵列,该介电层包括上表面,该上表面包括凹盘结构;底层,其填入于该凹盘结构,该底层具有折射率,该折射率大于该介电层的折射率;滤光片阵列,设置于该底层上,对应该传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于该滤光片阵列上。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





