[发明专利]影像传感器结构及其制法有效

专利信息
申请号: 200910174746.3 申请日: 2009-09-17
公开(公告)号: CN102024829A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 余政宏 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭示影像传感器结构及其制法以避免或减轻暗影效应。该影像传感器结构包括基底;传感元件阵列,其设置于基底表面;介电层,其覆盖传感元件阵列,介电层包括上表面,上表面包括凹盘结构;底层,其填入于凹盘结构,底层具有折射率,其折射率大于介电层的折射率;滤光片阵列,设置于底层上,对应传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于滤光片阵列上。可另设置顶层覆盖滤光片阵列,再设置微透镜阵列。
搜索关键词: 影像 传感器 结构 及其 制法
【主权项】:
一种影像传感器结构,包括:基底;传感元件阵列,其设置于该基底表面;介电层,其覆盖该传感元件阵列,该介电层包括上表面,该上表面包括凹盘结构;底层,其填入于该凹盘结构,该底层具有折射率,该折射率大于该介电层的折射率;滤光片阵列,设置于该底层上,对应该传感元件阵列;及微透镜阵列,对应设置于该滤光片阵列上。
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