[发明专利]影像传感器结构及其制法

权利要求书

1.一种影像传感器结构，包括：

基底；

传感元件阵列，其设置于该基底表面；

介电层，其覆盖该传感元件阵列，该介电层包括上表面，该上表面包括凹盘结构；

底层，其填入于该凹盘结构，该底层具有折射率，该折射率大于该介电层的折射率；

滤光片阵列，设置于该底层上，对应该传感元件阵列；及

微透镜阵列，对应设置于该滤光片阵列上。

2.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该传感元件阵列为光传感单元阵列。

3.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该底层的折射率为1.5至1.6。

4.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该底层的折射率小于该等微透镜的折射率。

5.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该底层为粘着层，并且其顶部平坦。

6.如权利要求1所述的影像传感器结构，进一步包括遮蔽层，其设置于该介电层内，并围绕该凹盘结构。

7.如权利要求6所述的影像传感器结构，其中该遮蔽层包括金属材料。

8.如权利要求6所述的影像传感器结构，其中该遮蔽层包括至少一环形结构。

9.如权利要求8所述的影像传感器结构，其中该遮蔽层包括多层环形结构，及该遮蔽层的分布密度由外往中心逐渐减少。

10.如权利要求6所述的影像传感器结构，其中该遮蔽层包括多个区段。

11.如权利要求10所述的影像传感器结构，其中该遮蔽层的分布密度由外往中心逐渐减少。

12.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该等微透镜位于边缘的形状与位于中心的形状不相同。

13.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该等微透镜位于边缘的节距与位于中心的节距不相同。

14.如权利要求1所述的影像传感器结构，其中该等滤光片位于边缘的节距与位于中心的节距不相同。

15.如权利要求1所述的影像传感器结构，进一步包括顶层，其设置于该等滤光片上而包覆该等滤光片，并包括与该底层相同的材料。

16.一种制造影像传感器结构的方法，包括：

提供基底；

在该基底表面形成传感元件阵列；

形成介电层覆盖于该传感元件阵列及该基底上；

将该介电层的上表面形成凹盘结构；

在该凹盘结构中填入底层，该底层具有折射率，该折射率大于该介电层的折射率；

在该底层上形成滤光片阵列；以及

在该滤光片阵列上形成微透镜阵列。

17.如权利要求16所述的制造影像传感器结构的方法，进一步在该介电层内围绕该凹盘结构之处形成遮蔽层结构。

18.如权利要求16所述的制造影像传感器结构的方法，其中将该介电层的上表面形成该凹盘结构是进行CMP工艺研磨该介电层而达成。

19.如权利要求18所述的制造影像传感器结构的方法，在进行该CMP工艺之前，进一步包括：

在该介电层上围绕该凹盘结构之处形成研磨停止层。

20.如权利要求16所述的制造影像传感器结构的方法，其中将该介电层的上表面形成该凹盘结构，包括下列步骤：

进行CMP工艺研磨该介电层，使该介电层的上表面形成盘凹形状；及

对该介电层进行蚀刻工艺以控制该盘凹形状的深度，以形成该凹盘结构。

21.如权利要求16所述的制造影像传感器结构的方法，进一步在该等滤光片上形成顶层以包覆该等滤光片，其中该顶层包括与该底层相同的材料。

22.如权利要求16所述的制造影像传感器结构的方法，其中该传感元件阵列为光传感单元阵列，及该光传感单元阵列与该滤光片阵列互相对应。