[发明专利]太阳能电池组件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200910173429.X 申请日: 2009-09-16
公开(公告)号: CN102024864A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 吴静怡 申请(专利权)人: 吴静怡;林妏娟
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C14/34;C23C14/04;C23C14/06
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种太阳能电池的制造方法,该制造方法使用网罩定义有效镀膜区域,通过使用网罩,可以直接在真空环境下,连续式地完成太阳能电池组件各层薄膜的形成,而不需要通过镭射刮除机和机械力刮除机这些设备定义太阳能电池组件的有效区域,因此,可以省略镭射刮除机和机械力刮除机的设备成本和刮除过程。本发明特别涉及将该制造方法应用于铜铟镓硒化合物半导体薄膜的太阳能电池,可以减少生产过程的程序,从而可以提高产能效率。
搜索关键词: 太阳能电池 组件 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池组件的制造方法,该制造方法包括下列步骤:将第一网罩设置于基板的上方,其中所述第一网罩包括多个第一开口,所述第一开口以阵列式排列,用于定义多个第一镀膜区域;将多个底部电极分别形成于所述第一镀膜区域,其中所述底部电极位于所述基板的上方;移除所述第一网罩;将第二网罩设置于所述底部电极的上方,其中所述第二网罩包括多个第二开口,所述第二开口以阵列式排列,用于定义多个第二镀膜区域;将多个光电转换单元分别形成于所述第二镀膜区域,其中所述光电转换单元位于所述底部电极的上方,且每一个光电转换单元包括多元金属硫族元素化合物薄膜,所述多元金属硫族元素化合物薄膜是通过真空溅镀过程对多元金属硫族元素化合物的单一靶材进行溅镀从而形成于所述底部电极的上方,且所述真空溅镀过程的工作温度介于100℃与400℃之间;移除所述第二网罩;将第三网罩设置于所述光电转换单元的上方,其中所述第三网罩包括多个第三开口,所述第三开口以阵列式排列,用于定义多个第三镀膜区域;将多个顶部电极分别形成于所述第三镀膜区域,其中所述顶部电极位于所述光电转换单元的上方;以及移除所述第三网罩。
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