[发明专利]太阳能电池组件的制造方法无效
申请号: | 200910173429.X | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN102024864A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 吴静怡 | 申请(专利权)人: | 吴静怡;林妏娟 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/34;C23C14/04;C23C14/06 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件的制造方法,该制造方法包括下列步骤:
将第一网罩设置于基板的上方,其中所述第一网罩包括多个第一开口,所述第一开口以阵列式排列,用于定义多个第一镀膜区域;
将多个底部电极分别形成于所述第一镀膜区域,其中所述底部电极位于所述基板的上方;
移除所述第一网罩;
将第二网罩设置于所述底部电极的上方,其中所述第二网罩包括多个第二开口,所述第二开口以阵列式排列,用于定义多个第二镀膜区域;
将多个光电转换单元分别形成于所述第二镀膜区域,其中所述光电转换单元位于所述底部电极的上方,且每一个光电转换单元包括多元金属硫族元素化合物薄膜,所述多元金属硫族元素化合物薄膜是通过真空溅镀过程对多元金属硫族元素化合物的单一靶材进行溅镀从而形成于所述底部电极的上方,且所述真空溅镀过程的工作温度介于100℃与400℃之间;
移除所述第二网罩;
将第三网罩设置于所述光电转换单元的上方,其中所述第三网罩包括多个第三开口,所述第三开口以阵列式排列,用于定义多个第三镀膜区域;
将多个顶部电极分别形成于所述第三镀膜区域,其中所述顶部电极位于所述光电转换单元的上方;以及
移除所述第三网罩。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述制造方法还包括下列步骤:
将抗反射膜形成于所述顶部电极的上方,并覆盖所述基板、底部电极和光电转换单元。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其中,所述制造方法还包括下列步骤:
将封装胶膜形成于所述抗反射膜的上方,并覆盖所述基板。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述第一、第二和第三网罩由金属制成。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述第二网罩的熔点为400℃以上。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述第一、第二和第三网罩分别包括至少一对位孔,用于与所述基板进行精密地对位。
7.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述底部电极包括单层的钼金属。
8.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述真空溅镀过程的工作温度介于250℃与300℃之间。
9.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述多元金属硫族元素化合物含有铜、铟、镓和硒元素。
10.根据权利要求1所述的制造方法,其中,所述多元金属硫族元素化合物含有铜、铟和硒元素。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴静怡;林妏娟,未经吴静怡;林妏娟许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910173429.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的