[发明专利]用于基于薄膜和晶片的太阳能应用的微晶硅合金无效
| 申请号： | 200910170766.3 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101677113A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 盛殊然;蔡容基 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/20;H01L31/075;H01L31/0232;H01L31/042;H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于形成太阳能电池的方法和装置。将包括碳、氧、和氮的掺杂晶体半导体合金用作薄膜太阳能电池的电荷收集层。通过将半导体源化合物和共组分源化合物提供给处理室并离子化所述气体以便在基板上沉积层，来形成所述半导体合金层。所述合金层提供改进的折射系数控制、宽能带隙、高电导率、和抗氧侵蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 薄膜 晶片 太阳能 应用 微晶硅 合金 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，包括：在基板上形成n型晶体半导体合金层；以及在所述n型晶体半导体合金层上形成导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
