[发明专利]用于基于薄膜和晶片的太阳能应用的微晶硅合金

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，包括：

在基板上形成n型晶体半导体合金层；以及

在所述n型晶体半导体合金层上形成导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述n型晶体半导体合金包含从由硅和锗构成的组中选择的一种或多种材料，及从由碳、氮、和氧构成的组中选择的一种或多种材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中由下述处理形成所述n型晶体半导体合金层，所述处理包含：

将碳源和硅源提供到处理室；

通过施加RF功率，将所述碳源和所述硅源离子化；以及

在所述处理室中维持至少8Torr的压力。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述n型晶体半导体合金层具有在大约1.5和3.6之间的折射系数、至少2eV的能带隙、和至少0.1S/cm的电导率。

5.如权利要求1所述的方法，其还包含在所述基板上形成包含一种或多种非晶半导体材料的p-i-n结。

6.一种形成太阳能电池的方法，包括：

在基板上形成导电层；

在所述导电层上形成第一掺杂晶体半导体合金层；以及

在所述第一掺杂半导体合金层之上形成第二掺杂晶体半导体合金层。

7.如权利要求6所述的方法，其中用p型掺杂剂掺杂所述第一掺杂晶体半导体合金层，以及用n型掺杂剂掺杂所述第二掺杂晶体半导体合金层。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二掺杂晶体半导体合金层的每一个包含半导电材料和从由碳、氮、和氧构成的组中选择的一种或多种材料。

9.如权利要求6所述的方法，其中通过下述处理形成所述第一和第二掺杂晶体半导体合金层的每一个，所述处理包含：

将碳源和硅源提供到处理室；

通过施加RF功率，将所述碳源和所述硅源离子化；以及

在所述处理室中维持至少8Torr的压力。

10.如权利要求7所述的方法，其还包含通过在所述第一和第二掺杂晶体半导体合金层之间形成非掺杂晶体半导体层，形成第一结。

11.如权利要求10所述的方法，其还包含在所述第一结之上形成第二结，所述第二结包含第三掺杂晶体半导体合金层和第四掺杂晶体半导体合金层，其中用p型掺杂剂掺杂所述第三掺杂晶体半导体合金层，以及用n型掺杂剂掺杂所述第四掺杂晶体半导体合金层。

12.一种形成太阳能电池的方法，其包含：

在半导体基板上形成反射层；以及

在所述反射层之上形成晶体结，其中所述反射层包含一个或多个晶体半导体合金层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述一个或多个晶体半导体合金层的每一个包含半导电材料和从由碳、氮、和氧构成的组中选择的一种或多种材料。

14.一种光伏器件，其包含：

n型晶体半导体合金层；以及

在所述n型晶体半导体合金层上形成的导电层。

15.如权利要求14所述的器件，其中所述n型晶体半导体合金层包含从由碳、氮、和氧构成的组中选择的一种或多种材料。

16.如权利要求14所述的器件，其还包含在形成p-i-n结的所述n型晶体半导体合金层之上的一个或多个非晶半导体层。

17.如权利要求16所述的器件，其还包含在所述非晶半导体层之上的p型晶体半导体合金层。

18.如权利要求14所述的器件，其中所述n型晶体半导体合金层具有在大约1.5和3.6之间的折射系数、至少2eV的能带隙、和至少0.1S/cm的电导率。

19.一种光伏器件，其包含：

导电层；

在所述导电层上形成的第一掺杂晶体半导体合金层；以及

在所述第一掺杂晶体半导体合金层之上形成的第二掺杂晶体半导体合金层。

20.如权利要求19所述的器件，其中所述第一掺杂晶体半导体合金层是p型层。

21.如权利要求20所述的器件，其中所述第二掺杂晶体半导体合金层是p型层。