[发明专利]具有激光烧蚀槽的指叉背接触太阳能硅电池及其制造方法

摘要

具有激光烧蚀槽的指叉背接触太阳能硅电池及其制造方法，所述电池包括：衬底，具有后表面和相对的前表面；多个指叉扩散区，其形成于衬底的后表面；以及多个槽，被限定到所述衬底的后表面之中、在所述多个指叉扩散区的相邻对之间。所述方法包括：将第一掺杂剂扩散入半导体衬底的后表面，以使得所述衬底的被隔开的第一和第二扩散区具有第一掺杂浓度且从所述后表面延伸第一深度进入所述衬底，且被具有第二掺杂浓度且从所述后表面延伸第二深度进入所述衬底的第三扩散区隔开；并且形成进入所述半导体衬底的后表面的多个槽，以使得所述第一扩散区和所述第三扩散区被第一槽隔开，而所述第二扩散区和所述第三扩散区被第二槽隔开。

主权项

1.一种IBC太阳能电池，包括：衬底，具有后表面和相对的前表面；多个指叉扩散区，其形成于衬底的后表面，所述多个指叉扩散区包括：具有第一掺杂浓度且从所述后表面延伸第一深度进入所述衬底的第一扩散区和第二扩散区，以及具有第二掺杂浓度且从所述后表面延伸第二深度进入所述衬底的第三扩散区，所述第三扩散区被置于所述第一扩散区和所述第二扩散区之间；以及多个槽，被限定到所述衬底的后表面之中、在所述多个指叉扩散区的相邻对之间，以使得所述第一扩散区和所述第三扩散区被第一槽隔开，而所述第二扩散区和所述第三扩散区被第二槽隔开，其中所述多个槽的每一个具有从所述后表面起进入所述衬底的第三深度，该第三深度大于所述第一深度和第二深度。