[发明专利]具有激光烧蚀槽的指叉背接触太阳能硅电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造指叉背接触太阳能电池的方法，所述方法包括：

将第一掺杂剂扩散到半导体衬底的后表面，以使得所述衬底的被 隔开的第一扩散区和第二扩散区具有第一掺杂浓度且从所述后表面延 伸第一深度进入所述衬底，且被具有第二掺杂浓度且从所述后表面延 伸第二深度进入所述衬底的第三扩散区隔开，其中将所述第一掺杂剂 扩散包括：

将含硼材料的被间隔开的块沉积到所述衬底的后表面上、在 所述第一扩散区和所述第二扩散区上；以及

加热所述衬底，以使得所述硼的第一部分穿过所述后表面扩 散到所述第一扩散区和所述第二扩散区中，而所述硼的第二部分在所 述后表面上、在所述第一扩散区和所述第二扩散区上形成硼硅酸盐玻 璃；

以及

将第二掺杂剂扩散到所述第三扩散区中，以使得所述第一掺杂剂 阻止所述第二掺杂剂扩散到所述第一扩散区和所述第二扩散区中，

所述方法还包括形成进入所述衬底的后表面的多个槽，以使得所 述第一扩散区与所述第三扩散区被第一槽隔开，而所述第二扩散区与 所述第三扩散区被第二槽隔开，

其中将第二掺杂剂扩散到所述第三扩散区中包括：

在形成所述硼硅酸盐玻璃后，将所述衬底置于包含POCl₃的炉中， 所述炉处于一温度，该温度被选择为使得磷被扩散到所述第三扩散区 中且所述硼硅酸盐玻璃阻止所述磷扩散到所述第一扩散区和所述第二 扩散区中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个槽包括激光烧 蚀所述衬底的后表面。