[发明专利]半导体元件及其制法无效
| 申请号： | 200910167456.6 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101667594A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;侯永田;林纲正;黄国泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制法，其中此元件包括一半导体基材，一晶体管形成于基材之中，晶体管具有一高介电常数介电层形成于基材之上，从高介电常数介电层的一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第一长度，以及一金属栅极层形成于高介电常数介电层之上，且从金属栅极层的一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第二长度，其中第二长度大于第一长度。本发明公开的方法提供一种简单且有效的非垂直式栅极结构，以提升元件的效能与可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一半导体基材；以及一晶体管，形成于该半导体基材之中，其中该晶体管包括：一高介电常数介电层，形成于该半导体基材之上，其中该高介电常数介电层具有一第一长度，且该第一长度是从该高介电常数介电层的一侧壁测量到另一侧壁；一金属栅极，形成于该高介电常数介电层之上，其中该金属栅极具有一第二长度，且该第二长度是从该金属栅极的一侧壁测量到另一侧壁，而该第二长度小于该第一长度。
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