[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910161721.X | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101640221A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02;H01L21/34;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的半导体层；所述半导体层上的第一n型缓冲层和第二n型缓冲层；以及所述第一n型缓冲层上的源电极层和所述第二n型缓冲层上的漏电极层，其中，所述半导体层、所述第一n型缓冲层以及所述第二n型缓冲层分别包括含有铟、镓及锌的氧化物半导体，并且，所述第一n型缓冲层和所述第二n型缓冲层的载流子浓度分别高于所述半导体层的载流子浓度。
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