[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的半导体层；

所述半导体层上的第一n型缓冲层和第二n型缓冲层；

在所述半导体层和所述第一n型缓冲层之间的第三缓冲层；

在所述半导体层和所述第二n型缓冲层之间的第四缓冲层；以 及

所述第一n型缓冲层上的源电极层和所述第二n型缓冲层上的 漏电极层，

其中，所述半导体层、所述第一n型缓冲层以及所述第二n型 缓冲层分别包括含有铟、镓及锌的氧化物半导体，

其中，所述第一n型缓冲层和所述第二n型缓冲层的载流子浓度 分别高于所述半导体层的载流子浓度，

其中，所述第一n型缓冲层的端部与所述源电极层的端部不一致，

其中，所述第二n型缓冲层的端部与所述漏电极层的端部不一致，

其中，所述半导体层上的所述第一n型缓冲层的端部设置得比所 述源电极层的端部向外，

其中，所述半导体层上的所述第二n型缓冲层的端部设置得比所 述漏电极层的端部向外，并且

其中，所述第三缓冲层和所述第四缓冲层各自的载流子浓度高于 所述半导体层的载流子浓度且低于所述第一n型缓冲层和所述第二n 型缓冲层各自的载流子浓度。

2.一种半导体装置，其包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的半导体层；

所述半导体层上的第一n型缓冲层和第二n型缓冲层；

在所述半导体层和所述第一n型缓冲层之间的第三缓冲层；

在所述半导体层和所述第二n型缓冲层之间的第四缓冲层；以 及

所述第一n型缓冲层上的源电极层和所述第二n型缓冲层上的 漏电极层，

其中，所述半导体层、所述第一n型缓冲层以及所述第二n型 缓冲层分别包括含有铟、镓及锌的氧化物半导体，

其中，所述半导体层的所述第一n型缓冲层与所述第二n型缓冲 层之间的区域薄于所述半导体层的所述第一n型缓冲层下的区域和所 述半导体层的所述第二n型缓冲层下的区域，

其中，所述第一n型缓冲层和所述第二n型缓冲层的载流子浓度 分别高于所述半导体层的载流子浓度，

其中，所述第一n型缓冲层的端部与所述源电极层的端部不一致，

其中，所述第二n型缓冲层的端部与所述漏电极层的端部不一致，

其中，所述半导体层上的所述第一n型缓冲层的端部设置得比所 述源电极层的端部向外，

其中，所述半导体层上的所述第二n型缓冲层的端部设置得比所 述漏电极层的端部向外，并且

其中，所述第三缓冲层和所述第四缓冲层各自的载流子浓度高于 所述半导体层的载流子浓度且低于所述第一n型缓冲层和所述第二n 型缓冲层各自的载流子浓度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一n型 缓冲层和所述第二n型缓冲层分别含有赋予n型导电型的杂质元素。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述半导体层 的载流子浓度小于1×10¹⁷atoms／cm³，并且所述第一n型缓冲层和所述 第二n型缓冲层的载流子浓度各自为1×10¹⁸atoms／cm³以上。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述源电极层和 所述漏电极层含有钛。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括所述源电极层 和所述漏电极层上的绝缘层，其中所述绝缘层接触于所述源电极层的 上表面、所述漏电极层的上表面以及所述半导体层的在所述源电极层 与所述漏电极层之间的区域。