[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910160469.0 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101635299A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 郑光茗;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板；上述半导体基板的一有源区，其中上述有源区包括至少一晶体管；上述半导体基板的一无源区，其中上述无源区包括至少一电阻结构，设置于一隔绝区中，上述至少一电阻结构位于较上述至少一晶体管低的一平面上。本发明解决了现有技术中存在的上述问题，其所包含的电阻结构具有较大的电阻率和较小的面积尺寸、较佳阻抗/电容匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一半导体基板；该半导体基板的一有源区，其中该有源区包括至少一晶体管；以及该半导体基板的一无源区，其中该无源区包括至少一电阻结构，设置于一隔绝区中，所述至少一电阻结构位于较所述至少一晶体管低的一平面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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