[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一半导体基板；

该半导体基板的一有源区，其中该有源区包括至少一晶体管，该晶体管 还包括：至少一栅极结构；以及至少一掺杂区，邻接于该栅极结构的每一个 侧边，所述至少一掺杂区包括一凹陷，其中该半导体基板的一顶面和所述至 少一掺杂区的一顶面之间具有一距离；以及

该半导体基板的一无源区，其中该无源区包括用于一取代栅极工艺的至 少一电阻结构，设置于一隔绝区中，其中该隔绝区具有一凹状表面，以使该 半导体基板的一顶面和该隔绝区的该凹状表面的一最底部之间具有一距离， 其中所述至少一电阻结构位于该隔绝区的该凹状表面的该最底部的上方，以 使所述至少一电阻结构位于较所述至少一晶体管低的一平面上；以及

一研磨停止层，设置于该半导体基板上方，且介于所述至少一晶体管和 所述至少一电阻结构之间，其中该研磨停止层覆盖该隔绝区，但该研磨停止 层并未覆盖该栅极结构和所述至少一掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中介于该隔绝区的该凹状表面的 该最底部和该半导体基板的该顶面之间的一距离系介于至之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中介于所述至少一晶体管的一顶 面和所述至少一电阻结构的一顶面之间的一距离至少为

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一晶体管包括一金属 栅极晶体管。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一电阻结构包括至少 一电阻或电子保险丝。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述至少一电阻结构包括至少 一掺杂多晶硅或掺杂非晶硅。

7.如权利要求1所述的半导体装置，该晶体管还包括：

栅极；

一硅化物区，位于所述至少一掺杂区中。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该隔绝区包括一凹陷，其中该 栅极结构的一顶面高于该电阻结构的一顶面。

9.如权利要求7所述的半导体装置，还包括一保护层，位于该电阻结构 上。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该保护层包括氧化硅或氮化 硅，且该保护层的厚度介于至之间。

11.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一半导体基板；

于该半导体基板上方形成至少一栅极结构，且于该半导体基板上的具有 一凹状表面的一隔绝区上方形成用于一取代栅极工艺的至少一电阻结构，其 中该电阻结构位于较该栅极结构低的一平面上；

于该半导体基板中形成至少一掺杂区；

于该半导体基板上方设置一研磨停止层，且介于所述至少一晶体管和所 述至少一电阻结构之间；

从该栅极结构和所述至少一掺杂区移除部分该研磨停止层，其中剩余的 该研磨停止层覆盖该隔绝区，但该研磨停止层并未覆盖该栅极结构和所述至 少一掺杂区；以及

于所述至少一掺杂区中形成一硅化物。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，于所述至少一掺杂区 中形成该硅化物之前还包括于该电阻结构上方形成一保护层。

13.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，还包括于该隔绝区中 形成一凹陷。

14.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，于形成该硅化物之前 还包括于所述至少一掺杂区中形成一凹陷。