[发明专利]一种存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910159799.8 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101685827A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L29/861;G11C16/02;H01L21/82;H01L21/768;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储装置及其制造方法。此处所述的存储装置包含多个存储单元。该多个存储单元中的每一存储单元包含：一二极管，其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准的侧边。每一存储单元更包含一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，其特征在于，包含多个存储单元，该多个存储单元中的每一存储单元，包含：一二极管，包含掺杂半导体材料；一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准的侧边；及一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
